Библиотека » Физика

Библиотека

Физика

Оптические свойства высоколегированных эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1–xAs:Si/GaAs(100)
А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.], Известия ВУЗов. – 2011. – Т.54.- №2. – С. 269–275..
высоколегированныe эпитаксиальныe гетероструктуры AlxGa1–xAs:Si/GaAs(100)  
Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах InxGa1−xAs
А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.], Физика и техника полупроводников. – 2010. – Т.44.- №8. – С. 1140–1146..
гетероструктуры InxGa1−x As/GaAs(100)  
Структурная неустойчивость твердых растворов GaxIn1-xAsyP1-y вследствие спинодального распада
А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.], Конденсированные среды и межфазные границы. – 2011. – Т.13.- №3. – С. 334–340..
четверные твердые растворы In1–xGaxAsyP1–y  
Фазообразование под воздействием спинодального распада в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур GaxIn1-xP/GaAs(100)
А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.], Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т.43.- №9. – С. 1261–1266..
полупроводниковые эпитаксиальные гетероструктуры Gax In1−x P/GaAs(100) в области составов x ≈ 0.50  
Формирование наноразмерных кластеров меди в ионообменной матрице
Т. А. Кравченко, М. Ю. Чайка, Е. В. Булавина, А. В. Глотов, ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК, Физическая химия. – 2010. – Т.443.- №1. – С. 55–58..
ионообменные матрицы  
Неводные электролиты на основе ониевых и ионных жидкостей для электрохимических конденсаторов
М.Ю. Чайка, В.К. Агупов, А.В. Глотов [и др.], Электрохимическая энергетика. – 2011. – Т.11.- №2. – С. 75–82..
ионная жидкость   ониевые соединения   электрохимический конденсатор  
The substructure and luminescence of low-temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures
A.V. Glotov, P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya [et al.], Semiconductors. – 2010. – V.44. – Pp. 184–188..
substructure and luminescence of low-temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures  
Raman and photoluminescence spectroscopy of lowtemperature heterostructures AlGaAs/GaAs(100)
E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. V. Glotov [et al.], Condensed matter and interphases. – 2011. – Т.11.- №2. – Pp. 95–100..
Raman backscattering   photoluminescence spectroscopy   low temperature heterostructures AlGaAs  
Phase formation under the effect of spinodal decomposition in epitaxial alloys of GaxIn1-xP/GaAs(100) heterostructures
E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. V. Glotov [et al.], Semiconductors. – 2009. – V.43. – Pp. 1221–1225..
The effect of instability modulated relaxation structures  
Formation of nanosized copper clusters in an ion-exchange matrix
A.B. Yaroslavtsev, T.A. Kravchenko, A.V. Glotov [et al.], Doklady Physical Chemistry, 2010, Vol. 433, Part 1, pp. 111–114..
nanosized inorganic additives