Владимир Бахрушин » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-04-21 Опубликовано на SciPeople2012-01-14 22:29:44

Роль примесей в процессах формирования микродефектов в полупроводниковом кремнии

Бахрушин В.Е., Головань С.В. / Владимир Бахрушин

Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы. Сборник докладов 9 Международного симпозиума/ Под ред. В.М. Ажажи, В.И. Лапшина, И.М. Неклюдова, В.М. Шулаева. Харьков: ННЦ ХФТИ, 2003.- С. 97-101

Аннотация Рассмотрены современные модели формирования микродефектов в высокосовершенных монокристаллах кремния. Показано, что их основным недостатком является то, что выводы о механизмах зарождения и начальных стадиях роста делаются на основе изучения достаточно крупных микродефектов, прошедших несколько стадий трансформации.Уточнена возможная роль кислорода и других примесей в процессах зарождения и роста микродефектов.