Антон Глотов » Публикация
Поделиться публикацией:
Опубликовано
2012-04-04
Опубликовано на SciPeople2012-04-04 10:38:51
ЖурналPhysica B: Condensed Matter
Raman investigation of low temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures
Physica B: Condensed Matter.-2010.- V.405.- I.12.- Pp. 2694–2696.
Аннотация
Method of Raman backscattering allowed one to study the substructure of epitaxial low temperature
MOCVD AlGaAs/GaAs(1 0 0) heterostructures. It is shown that experimental data received during work
correlate with results of the structural researches accomplished in the previous work. The assumption
that at high concentration of a carbon acceptor atoms concentrate on defects of a crystal lattice of
AlGaAs solid solution with formation of carbon nanoclusters is confirmed.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален