Антон Глотов » Публикация

Аннотация Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры InxGa1−x As/GaAs(100), выращенные МОС-гидридным методом, со значительно рассогласованными параметрами решетки. Рассчитан коэффициент релаксации кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора, и оценена энергия деформации. Показано, что при концентрациях атомов In в металлической подрешетке, близких к x = 0.5, сверхструктурная фаза, образовавшаяся на поверхности эпитаксиального твердого раствора InxGa1−xAs, представляет собой соединение InGaAs2 со слоисто-тетрагональной (layered thetragonal) кристаллической решеткой и упорядоченным расположением атомов металлической подрешетки в плоскости роста эпитаксиальной пленки.