Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2012-05-08 Опубликовано на SciPeople2012-08-21 10:37:07 ЖурналСхідно-Європейський журнал передових технологій

ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА СПЕКТРЫ ЯКР И ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОФОТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ GaSe-InSe

Галина Ивановна Ластивка, Олег Николаевич Сидор, Захар Дмитриевич Ковалюк, Александр Григорьевич Хандожко / Алина Селезнева ^{контактное лицо}

Галина Ивановна Ластивка, Олег Николаевич Сидор, Захар Дмитриевич Ковалюк, Александр Григорьевич Хандожко ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА СПЕКТРЫ ЯКР И ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОФОТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ GaSe-InSe // Східно-Європейський журнал передових технологій, Vol. 4, Issue 5, 2012, pp. 28-34

Аннотация Досліджено вплив температури відпалу на спектри ЯКР шаруватих напівпровідникових сполук GaSe і InSe у складі гетерофотодіодів, виготовлених за методом «прямого оптичного контакту». Міра дефектності кристалів оцінювалася за якістю мультиплетних спектрів ЯКР ізотопів 69Ga і 115In, що відображають упорядкованість в системі політипів.