Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2012-05-18 Опубликовано на SciPeople2012-08-21 10:37:08 ЖурналСхідно-Європейський журнал передових технологій

N-КАНАЛЬНИЙ D-МОН ТРАНЗИСТОР З ПОДВІЙНОЮ ДИФУЗІЄЮ ДЕЦИМЕТРОВОГО ДІАПАЗОНУ ЧАСТОТ

Андрій Дмитрович Верига, Леонід Францевич Політанський / Алина Селезнева ^{контактное лицо}

Андрій Дмитрович Верига, Леонід Францевич Політанський N-КАНАЛЬНИЙ D-МОН ТРАНЗИСТОР З ПОДВІЙНОЮ ДИФУЗІЄЮ ДЕЦИМЕТРОВОГО ДІАПАЗОНУ ЧАСТОТ // Східно-Європейський журнал передових технологій, Vol. 5, Issue 5, 2012, pp. 9-12

Аннотация Зпроектовано польовий МОН-транзистор з вертикальною структурою методом подвійної дифузії. Транзистор розрахований на роботу в діапазоні частот до 900 МГц. Формування металізації затвору та витоку проводиться в одному технологічному циклі, що спрощує технологічний процес виготовлення транзистора та понижує вимоги до допусків цього етапу виготовлення.