Андрей Одринский » Публикация
Поделиться публикацией:
Опубликовано
2005-06-16
Опубликовано на SciPeople2014-02-16 02:29:23
ЖурналФизика и техника полупроводников
Определение концентрации глубоких уровней вполуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии
Аннотация
Методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии (PICTS) исследовались глубокие уровни в полуизолирующих монокристаллах CdS, выращенных с варьированием стехиометрического состава. Обнаружен ряд глубоких уровней с энергией термической активации 0.066-0.54 эВ. Обнаружено, что соотношение сигнала в наборе спектров не соответствует базовой модели PICTS. Разработана методика оценки концентрации глубоких уровней в данной ситуации.
http://journals/ftp/2005/06/p660-666.pdf
Показать статистику 
