Андрей Одринский » Публикация
Поделиться публикацией:
Опубликовано
2010-07-16
Опубликовано на SciPeople2014-02-16 21:52:03
ОрганизацияИнститут технической акустики Национальной академии наук Белоруссии
ЖурналФизика и техника полупроводников
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия слоистых кристаллов высокоомного GaSe
Аннотация
Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы дефекты в высокоомном монокристалле p-GaSe. Результаты показали присутствие ловушек, соответствующих вакансии галлия и протяженным дефектам. Обнаружены также ловушки с энергией термоактивации 0.13, 0.39 и 0.53 эВ. Проводится обсуждение их природы.
http://journals.ioffe.ru/ftp/2010/07/p883-885.pdf
Показать статистику 
