Андрей Одринский » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1989-09-16 Опубликовано на SciPeople2014-02-16 22:43:27 ЖурналФизика и техника поупроводников

Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe

Ю.А.Черкасов, П.А.Буров, И.А.Давыдов, В.Г.Лучина, А.П.Одринский, А.И.Румянцев / Андрей Одринский

Аннотация Методами спектроскопии поверхностной фотоэдс и фотолюминесценции выполнены спектроскопические исследования центров фоточувствительности тонких пленок CdSe регистрирующих систем типа инжекционный сенсибилизатор--термопластик. Показано, что для пленок, выращенных в условиях, близких к условиям роста монокристаллов (вакуумное испарение в квазизамкнутом объеме), и обладающих высокой фоточувствительностью, центры фоточувствительности могут быть отождествлены с r-центрами медленной рекомбинации с энергией ионизации 1.26 эВ, отвечающими в монокристаллах за высокий квантовый выход фотогенерации носителей заряда. Центры обусловлены вакансиями кадмия, возникающими в результате термохимической сенсибилизации пленок CdSe после их выращивания.