Андрей Одринский » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2014-02-16 Опубликовано на SciPeople2014-02-16 22:47:32 ЖурналФизика твердого тела


Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe2
А.П.Одринский / Андрей Одринский
Аннотация В систематических исследованиях кристаллов из различных технологических партий обнаружено пять электрически активных дефектов с энергией термоактивации перезарядки 0.1-0.7 eV. Обсуждаются особености их регистрации, связанные с наличием в материале сегнетоэлектрических свойств. Представлена найденная закономерность изменения с температурой энтальпии перезарядки дефекта, регистрируемого в окрестности фазового перехода.

Нет комментариев

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования