Андрей Одринский » Публикация
Поделиться публикацией:
Опубликовано
2014-02-16
Опубликовано на SciPeople2014-02-16 22:47:32
ЖурналФизика твердого тела
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe2
Аннотация
В систематических исследованиях кристаллов из различных технологических партий обнаружено пять электрически активных дефектов с энергией термоактивации перезарядки 0.1-0.7 eV. Обсуждаются особености их регистрации, связанные с наличием в материале сегнетоэлектрических свойств. Представлена найденная закономерность изменения с температурой энтальпии перезарядки дефекта, регистрируемого в окрестности фазового перехода.