Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-06-30
ОрганизацияОАО «НИИ молекулярной электроники и Микрон»
ЖурналЭлектронный журнал "Исследовано в России"
Расчет туннельного коэффициента для электрона в случае потенциала, заданного во внутриатомном масштабе для тонкослойного материала:часть вторая
Зайцев Н.А., Матюшкин И.В. Расчет туннельного коэффициента для электрона в случае потенциала, заданного во внутриатомном масштабе для тонкослойного материала:часть вторая
// Электронный журнал "Исследовано в России", 8, 1526-1543, 2005. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2005/146.pdf
Аннотация
Для ограниченного атома (например, в составе твердого тела) проанализирована трехмерная и одномерная модели Томаса-Ферми. Предложена адаптация решения 3D уравнения Томаса-Ферми на одномерность туннельной задачи. Показано, что момент наступления резонансного туннелирования (по энергии электрона) не зависит от граничных условий в уравнении Шредингера вида «полочек». При определенном интервале энергии электрона пространственное расположение атомов примеси в ультратонком слое (около 5 моноатомных слоев) существенно влияет на прозрачность многобарьерной системы.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален