Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-06-30
ОрганизацияBig>Зайцев Н.А., Матюшкин И.В. (matyushkin@mikron.ru) ОАО «НИИ молекулярной электроники и Микрон»
ЖурналЭлектронный журнал "Исследовано в России"
Расчет туннельного коэффициента для электрона в случае потенциала, заданного во внутриатомном масштабе для тонкослойного материала:часть первая
Зайцев Н.А., Матюшкин И.В. Расчет туннельного коэффициента для электрона в случае потенциала, заданного во внутриатомном масштабе для тонкослойного материала:часть первая
// Электронный журнал "Исследовано в России", 8, 1512-1525, 2005. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2005/145.pdf
Аннотация
Предложен способ расчета туннельной прозрачности барьера, предполагающий замену приближения эффективной массы электрона рассмотрением особенностей внутриатомной структуры потенциала в направлении туннелирования. Показана формальная справедливость формулы Гамова при ширине барьера более 2Å и его высоте более 2эВ. Показана некорректность подстановки в одномерное уравнение Шредингера кулоновского потенциала, связанная, в частности, с расходимостью численного метода.
http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2005/145.pdf
Показать статистику Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
