Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2003-12-30 ОрганизацияНаучно-исследовательский Институт Физики Санкт-Петербургского Государственного Университета ЖурналЭлектронный журнал "Исследовано в России"


Особенности строения тонких многослойных диэлектрических пленок
Барабан А.П., Егоров Д.В., Милоглядовa Л.В.
Барабан А.П., Егоров Д.В., Милоглядовa Л.В. Особенности строения тонких многослойных диэлектрических пленок // Электронный журнал "Исследовано в России", 6, 2513-2522, 2003. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2003/216.pdf
Аннотация Методом электролюминесценции изучены свойства межфазовой границы (МФГ) диэлектрик- диэлектрик структур Si-SiO2-диэлектрик. Выяснено, что неотъемлемым процессом формирования этой МФГ является диссоциация силанольных групп в приповерхностном слое SiO2. В результате на границе диэлектриков формируется переходный слой, обладающий своими характерными свойствами, отличными от свойств входящих в структуру диэлектрических слоев.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален