Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1993-05-25 ЖурналПисьма в ЖЭТФ


Концентрационный переход к проводимости с постоянной длиной прыжка по состояниям вблизи уровня Ферми при эффекте поля в слабокомпенсированном Si:B
Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г., Моделли А., Рыльков В.В., Ткач Ю.Я.
Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г., Моделли А., Рыльков В.В., Ткач Ю.Я.. Концентрационный переход к проводимости с постоянной длиной прыжка по состояниям вблизи уровня Ферми при эффекте поля в слабокомпенсированном Si:B // Письма в ЖЭТФ, том 57, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация
 http://www.jetpletters.ac.ru/ps/305/article_4924.pdf
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален