Профиль » Публикация

Аннотация Проведены рентгеноструктурные и диэлектрические исследования сег-нетоэлектрической тетрагональной фазы (P4mm) кристаллов BaTiO3, сегне-тоэлектрической р0омбоэдрической фазы (R3c) кристаллов PbZr0.958Ti0.042O3, а также антисегнетоэлектрических фаз (Pbam) кристаллов PbZrO3, PbHfO3 в диапазоне постоянных электрических полей 0 ё Е ё 5.5Ч107 В/м. Показано, что рассчитанные на основе полученных экспериментальных зависимостей параметров ячейки и диэлектрической восприимчивости от напряженности Е, полевые зависимости индуцированной поляризации Pi(E) и пьезомодуля d33(Е) кристаллов BaTiO3 и PbZr0.958Ti0.042O3 демонстрируют аналогичное не-линейное поведение. Проведено сравнение полученных результатов с резуль-татами, следующими из теории Ландау-Гинзбурга-Девоншира, и показано, что она применима для однодоменного, полностью поляризованного, состоя-ния до полей, на три порядка превышающих коэрцитивное. Полевые зависи-мости параметров перовскитовых ячеек антисегнетоэлектрических фаз моно-кристаллов PbZrO3 и PbHfO3 неизменны плоть до значений напряженности электрического поля, при которых происходят фазовые переходы, а диэлек-трическая восприимчивость слабо растет с увеличением напряженности по-ля. На основе полученных результатов проведен анализ возможных атомных смещений происходящих под действием поля, как в сегнетоэлектрической  фазе BaTiO3 так и антисегнетоэлектрической фазе PbZrO3.