Профиль » Публикация
Опубликовано
1994-09-25
ЖурналПисьма в ЖЭТФ
Магнитный резонанс и эффект антипересечения уровней экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II
Баранов П.Г., Машков И.В., Романов Н.Г., Гордон К., Лаваллар Ф., Планель Р.. Магнитный резонанс и эффект антипересечения уровней экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II // Письма в ЖЭТФ, том 60, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация
http://www.jetpletters.ac.ru/ps/340/article_5376.pdf
Показать статистику Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
