Профиль » Публикация
Опубликовано
2001-05-10
ОрганизацияИнститут физики полупроводников НАН Украины, 01650 Киев, Украина
ЖурналПисьма в ЖЭТФ
Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения
С. Г. Гасан-заде, С. В. Старый, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский, В. А. Бойко. Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения // Письма в ЖЭТФ, том 73, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация
В узкощелевых полупроводниках с прямой запрещенной зоной создание упруго-наряженного состояния позволяет существенно ослабить междузонную ударную рекомбинацию за счет трансформации валентной зоны. В результате резко повышается квантовый выход инфракрасного излучения в области междузонных переходов. Экспериментальные результаты получены на кристаллах InSb.
http://www.jetpletters.ac.ru/ps/1034/article_15709.pdf
Показать статистику Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
