Профиль » Публикация
Опубликовано
2001-08-10
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
ЖурналПисьма в ЖЭТФ
Анизотропия магнетотранспорта и самоорганизация корругированных гетерограниц в селективно легированных структурах на (100) GaAs подложках
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. В. Горан, А. В. Латышев, А. И. Торопов. Анизотропия магнетотранспорта и самоорганизация корругированных гетерограниц в селективно легированных структурах на (100) GaAs подложках // Письма в ЖЭТФ, том 74, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация
Обнаружена анизотропия продольного магнетосопротивления двумерного электронного газа с высокими подвижностью и концентрацией в GaAs квантовых ямах, выращенных при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии на (100) GaAs подложках. Полученные экспериментальные данные объясняются самоорганизацией пространственно-модулированных гетерограниц и согласуются с результатами атомно-силовой микроскопии ростовых поверхностей.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален