Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-01-14 ЖурналЭлектронный журнал "Исследовано в России"


Эффект температурного насыщения электропроводности в стеклах системы AgI-Ag2S-GeS2-Ga2S3
Бобылев А.В., Тверьянович А.С., Тверьянович Ю.С.
Бобылев А.В., Тверьянович А.С., Тверьянович Ю.С. Эффект температурного насыщения электропроводности в стеклах системы AgI-Ag2S-GeS2-Ga2S3 // Электронный журнал "Исследовано в России", 5, 36-46, 2002. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2002/003.pdf
Аннотация Исследовано температурное поведение ионной электропроводности стекол по разрезу xAg2S-(1-x)[0.4AgI -0.6(0.25Ga2S3-0.75GeS2)], x = 0 - 0.35. Оно не подчиняется закону Аррениуса (кроме стекол с содержанием Ag2S 35 мол. % и 0 %) и имеет выраженный эффект температурного насыщения. Однако, для стекол с большим содержанием Ag2S зависимость логарифма электропроводности от 1/T может трактоваться как излом с переходом от одной энергии активации к другой. Такая трактовка экспериментальных данных противоречит ранее предложенной модели[3]. Остается неясным вопрос и о степени общности явления насыщения ионной проводимости, так как  существует значительное количество экспериментальных работ [5,6], в которых указанный эффект не обнаружен при изменении удельной проводимости в интервале 10-3-10-1 Ом-1 см-1. Таким образом, решение проблемы неаррениусовского поведения электропроводности для твердых электролитов требует дальнейшего накопления экспериментальных данных.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален