Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-11-10 ОрганизацияИнститут физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия ЖурналПисьма в ЖЭТФ


Влияние экранирования двумерными носителями заряда на энергию связи экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
С. И. Губарев, О. В. Волков, В. А. Ковальский, Д. В. Кулаковский, И. В. Кукушкин
С. И. Губарев, О. В. Волков, В. А. Ковальский, Д. В. Кулаковский, И. В. Кукушкин. Влияние экранирования двумерными носителями заряда на энергию связи экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах // Письма в ЖЭТФ, том 76, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация Исследован спектр возбужденных состояний экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs различной ширины и его изменение из-за экранирования электронно-дырочного взаимодействия двумерными электронами. Обнаружено резкое уменьшение энергии связи экситонов при увеличении концентрации двумерных электронов и изучена температурная зависимость параметров экранирования основного и возбужденного состояний экситонов вплоть до сверхнизких температур T=50 мК.
 http://www.jetpletters.ac.ru/ps/605/article_9490.pdf
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален