Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2003-04-25 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделенияРАН, 630090 Новосибирск, Россия Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналПисьма в ЖЭТФ


Фотолюминесценция в пленках GeO2, содержащих нанокристаллыгермания
В. А. Володин,Е. Б. Горохов, М. Д. Ефремов, Д. В. Марин,Д. А. Орехов
В. А. Володин,Е. Б. Горохов, М. Д. Ефремов, Д. В. Марин,Д. А. Орехов. Фотолюминесценция в пленках GeO2, содержащих нанокристаллыгермания // Письма в ЖЭТФ, том 77, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация Нанокристаллы германия в пленке GeO2, сформированные в процессе осаждения газообразного монооксида германия на подложке сапфира, исследованы методами фотолюминесценции (ФЛ) и спектроскопии комбинационного рассеяния света (КР). В данной гетеросистеме обнаружен пик ФЛ в видимом спектральном диапазоне при комнатной температуре. Из положения пика КР на локализованных оптических фононах в германии были оценены размеры GeD нанокристаллов. Рассчитанное с учетом размерного квантования электронов и дырок в GeD нанокристаллах положение пика ФЛ хорошо совпадает с положением экспериментально наблюдаемого пика.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален