Профиль » Публикация
Опубликовано
2003-04-25
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделенияРАН, 630090 Новосибирск, Россия Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
ЖурналПисьма в ЖЭТФ
Фотолюминесценция в пленках GeO2, содержащих нанокристаллыгермания
В. А. Володин,Е. Б. Горохов, М. Д. Ефремов, Д. В. Марин,Д. А. Орехов. Фотолюминесценция в пленках GeO2, содержащих нанокристаллыгермания // Письма в ЖЭТФ, том 77, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация
Нанокристаллы германия в пленке GeO2, сформированные в процессе осаждения газообразного монооксида германия на подложке сапфира, исследованы методами фотолюминесценции (ФЛ) и спектроскопии комбинационного рассеяния света (КР). В данной гетеросистеме обнаружен пик ФЛ в видимом спектральном диапазоне при комнатной температуре. Из положения пика КР на локализованных оптических фононах в германии были оценены размеры GeD нанокристаллов. Рассчитанное с учетом размерного квантования электронов и дырок в GeD нанокристаллах положение пика ФЛ хорошо совпадает с положением экспериментально наблюдаемого пика.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален