Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2004-03-25 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники РАН, 114112 Фрязино, Московская обл., Россия Московский государственный университет им.М. В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия triangleИнститут кристаллографии РАН, 117333 Москва, Р ЖурналПисьма в ЖЭТФ


Терагерцовая спектроскопия с джозефсоновским излучателем и СИНИС болометром
M. Тарасов, Л. Кузьмин, E. Степанцов, И. Агуло, А. Калабухов, М. Фоминский, Z. Ivanov, T. Claeson
M. Тарасов, Л. Кузьмин, E. Степанцов, И. Агуло, А. Калабухов, М. Фоминский, Z. Ivanov, T. Claeson. Терагерцовая спектроскопия с джозефсоновским излучателем и СИНИС болометром // Письма в ЖЭТФ, том 79, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация Измерен отклик по напряжению болометра на горячих электронах в тонкой пленке нормального металла структуры сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор- сверхпроводник (СИНИС) на излучение высокотемпературного джозефсоновского перехода в терагерцовом диапазоне. Болометры были интегрированы с планарными логопериодическими и двойными дипольными антеннами, а джозефсоновские переходы интегрированы с логопериодическими антеннами. Измерения показали, что джозефсоновский переход, находящийся при 260 мК, перегревается транспортным током и электронная температура превышает 3 К при напряжении смещения 1 мВ. Максимум отклика болометра с двойной дипольной антенной наблюдался на частоте 300 ГГц, которая соответствует расчетной. Джозефсоновское излучение наблюдалось на частотах до 1.7 ТГц. Отклик болометра по напряжению достигает 4cdot108 В/Вт , полная мощность, эквивалентная шуму 1.5cdot10-17 Вт/Гц1/2.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален