Профиль » Публикация
Опубликовано
2004-03-25
ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники РАН, 114112 Фрязино, Московская обл., Россия Московский государственный университет им.М. В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия triangleИнститут кристаллографии РАН, 117333 Москва, Р
ЖурналПисьма в ЖЭТФ
Терагерцовая спектроскопия с джозефсоновским излучателем и СИНИС болометром
M. Тарасов, Л. Кузьмин, E. Степанцов, И. Агуло, А. Калабухов, М. Фоминский, Z. Ivanov, T. Claeson. Терагерцовая спектроскопия с джозефсоновским излучателем и СИНИС болометром // Письма в ЖЭТФ, том 79, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация
Измерен отклик по напряжению болометра на горячих электронах в тонкой пленке нормального металла структуры сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор- сверхпроводник (СИНИС) на излучение высокотемпературного джозефсоновского перехода в терагерцовом диапазоне. Болометры были интегрированы с планарными логопериодическими и двойными дипольными антеннами, а джозефсоновские переходы интегрированы с логопериодическими антеннами. Измерения показали, что джозефсоновский переход, находящийся при 260 мК, перегревается транспортным током и электронная температура превышает 3 К при напряжении смещения 1 мВ. Максимум отклика болометра с двойной дипольной антенной наблюдался на частоте 300 ГГц, которая соответствует расчетной. Джозефсоновское излучение наблюдалось на частотах до 1.7 ТГц. Отклик болометра по напряжению достигает 4cdot108 В/Вт , полная мощность, эквивалентная шуму 1.5cdot10-17 Вт/Гц1/2.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален