Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2005-04-10 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналПисьма в ЖЭТФ


Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света
Д. А. Орехов, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков
Д. А. Орехов, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков. Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света // Письма в ЖЭТФ, том 81, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация Многослойные структуры с наноостровками германия, сформированные на поверхности кремния с ориентацией (111) при субмонослойном осаждении методом молекулярно-лучевой эпитаксии, были исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). Для интерпретации экспериментальных спектров КРС проведены численные расчеты спектров для наноостровков, содержащих от нескольких атомов германия до нескольких сотен атомов. Расчеты демонстрируют существенное влияние размеров наноостровков в плоскости (при размерах менее 2--3 нм) на частоты локализованных в них фононов. Экспериментальные данные КРС подтверждают наличие квантово-размерного эффекта.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален