Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2005-05-25 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналПисьма в ЖЭТФ


Магнетофононный резонанс в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения
А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров
А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров. Магнетофононный резонанс в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения // Письма в ЖЭТФ, том 81, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация Исследован магнетотранспорт высокоподвижного двумерного электронного газа (2ДЭГ) в одиночных GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения. В изучаемых селективно-легированных структурах в диапазоне температур от 10 до 25 К обнаружены осцилляции магнетосопротивления, периодичные по обратному магнитному полю, частота которых пропорциональна фермиевскому волновому вектору 2ДЭГ. Полученные экспериментальные результаты объясняются взаимодействием 2ДЭГ с псевдо-интерфейсными акустическими фононами.
 http://www.jetpletters.ac.ru/ps/649/article_10148.pdf
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален