Профиль » Публикация

Аннотация В диапазоне энергии первичных электронов 0.6-1.5 кэВ измерены ориентационные зависимости для ряда групп вторичных электронов: квазиупруго рассеянных, неупруго отраженных с возбуждением плазмона и ионизацией остовного уровня M4.5, а также оже-электронов M4.5VV. Данные получены для монокристалла Nb (100) при изменении азимутального угла падения первичного пучка и полном сборе вторичных электронов. Установлена взаимосвязь процессов фокусировки и дефокусировки электронов, проникающих в кристалл вдоль направлений < 110> и < 133>, существенно различающихся плотностью упаковки атомов. Обнаружена и объяснена специфика ориентационного оже-эффекта, обусловленная возникающей вследствие фокусировки вариацией интенсивности потока отраженных электронов. Оценены вклады в угловые зависимости оже-эмиссии и отражения с ионизационной потерей как анизотропии ионизации самого остовного уровня, так и изменения интенсивности обратного рассеяния. Проанализирована возможность использования рассмотренных ориентационных зависимостей для элементно-чувствительного анализа локальной атомной структуры поверхности.