Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут магнетизма АН Украины, 252680 Киев, Украина ЖурналЖурнал Технической Физики

Сканирование лазерного излучения и очистка материалов на основе явления светоиндуцированного дрейфа частиц в полупроводниках

Крупа Н.Н., Погорелый А.Н.

Крупа Н.Н., Погорелый А.Н. Сканирование лазерного излучения и очистка материалов на основе явления светоиндуцированного дрейфа частиц в полупроводниках // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 4, Стр. 121

Аннотация Описаны результаты экспериментальных исследований явления светоиндуцированного дрейфа (СИД) электронов, поглощающих примесей и дефектов в полупроводниках A2B6 и некоторые возможности его практического использования. Показано, что СИД электронов приводит к очень большому изменению показателя преломления |Delta n|~0.01 и позволяет получить эффективное сканирование нано- и пикосекундных лазерных импульсов за счет нарушения полного внутреннего отражения. СИД поглощающих примесей вызывает увеличение их концентрации в приповерхностном слое кристаллов, что также может быть использовано в технологии полупроводников.