Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 Организация1 Физико-технический институт им. А.Ф.&nbsp;Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2 Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Влияние процесса ионного распыления на&nbsp;статистические характеристики поверхности

Меркулов А.В., Меркулова О.А.

Меркулов А.В., Меркулова О.А. Влияние процесса ионного распыления на статистические характеристики поверхности // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 2, Стр. 107

Аннотация Исследовалась модификация поверхности арсенида галия во время облучения тяжелыми ионами цезия Cs+ путем измерения распределения высот поверхностей образцов атомно-силовым микроскопом. Наблюдалось как увеличение, так и уменьшение интегрального параметра sigma-среднеквадратичной высоты. Установлено, что в латеральном диапазоне 1-100 nm шероховатость поверхности арсенида галия увеличивается для всех исследуемых образцов. Анализ структурной функции позволил оценить характерные латеральные размеры поверхностных структур, возникающих в процессе ионного травления.