Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 Организация1&nbsp;Институт физики полупроводников НАН Украины, 252028 Киев, Украина 2&nbsp;Государственное научно-производственное объединение "Исток", 141120 Фрязино, Московская область, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Исследование монокристаллов арсенида галлия различной кристаллографической ориентации, имплантированных ионами кремния и&nbsp;подвергнутых импульсному фотонному отжигу

Васильковский С.В., Духновский М.П., Конакова Р.В., Тхорик Ю.А.

Васильковский С.В., Духновский М.П., Конакова Р.В., Тхорик Ю.А. Исследование монокристаллов арсенида галлия различной кристаллографической ориентации, имплантированных ионами кремния и подвергнутых импульсному фотонному отжигу // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 5, Стр. 78

Аннотация Приведены результаты экспериментальных исследований монокристаллов арсенида галлия ориентации (100), (311)A, (211)A, (111)A и (221)A, легированных ионами кремния на установке "Иолла-3М" при комнатной температуре (энергия ионов 75 keV, плотность ионного пучка 1 muA/cm2, доза имплантации 1.2·103 cm-2) и отожженных на установке "Импульс-5" при температуре 950oC. Методами комбинационного рассеяния света и низкотемпературной фотолюминесценции установлено, что наибольшая электрическая активность имплантированного кремния при одинаковых условиях имплантации и отжига реализуется для (100) и (311)A ориентации арсенида галлия. При этом создаются слои n-типа проводимости.