Профиль » Публикация

Аннотация Дана теоретическая интерпретация тонкой структуры (ТС) спектра вторично-электронной эмиссии (СВЭЭ) Ir по нормали к поверхности (111) и спектра полного тока (СПТ) поликристалла Ir. В расчетах учитывались энергетическая зависимость уширения зонных уровней энергии, электрон-электронный и электрон-плазмонный вклады в функцию распределения неравновесных электронов, изотропная компонента тока от электронов, рассеянных на поверхности. Показано, что ТС СВЭЭ и СПТ обусловлена главным образом электронным строением конечных состояний, в которые попадают электроны или из которых происходит их эмиссия, что позволяет непосредственно восстанавливать особенности расположения зон в энергетической зонной структуре из данных эксперимента. Развиваемый метод позволяет отделить объемные эффекты в СВЭЭ и СПТ от поверхностных. Подтверждена зависимость ТС СВЭЭ и СПТ от геометрической структуры и степени упорядоченности кристаллов. При этом ослабление интенсивности ТС служит мерой дефектности в приповерхностной области образца, что может успешно применяться для контроля состояния поверхности в процессе обработки.