Профиль » Публикация

Аннотация Выполнено электронно-спектроскопическое исследование слоистых наноструктур и кластеров на поверхности и в объеме твердого тела. Предложен новый способ создания наноструктур металл/диэлектрик/полупроводник (сверхпроводник) на основе ионно-стимулированных эффектов сегрегации металлов на поверхности низкотемпературного арсенида галлия и высокотемпературного сверхпроводника 123-типа. Исследованы геометрические параметры и электронная структура полученных нанообъектов. Показано, что электронные свойства этих объектов можно контролированно изменять in situ воздействиями на поверхность. Исследована размерная трансформация электронных свойств кластеров металлов в диэлектрике SiO2, полупроводнике LTMBE-GaAs, на поверхности кремния и графита. Выяснена природа этой трансформации. Развита диагностика кластерных ансамблей, позволяющая определять параметры, необходимые для описания одноэлектронного транспорта: среднее число атомов в кластере, среднее расстояние между кластерами и отдельными атомами, химическое состояние атомов. Получены ансамбли кластеров серебра на поверхности кремния с заданными параметрами. Показано, что эти ансамбли перспективны для создания одноэлектронных приборов.