Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут химии и технологии редких элементов и минерального сырья им.&nbsp;И.В.&nbsp;Тананаева РАН, 184200 Апатиты, Мурманская область, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

К&nbsp;вопросу о&nbsp;механизме ионизации на&nbsp;игольчатых эмиттерах органических соединений

Гришин Н.Н.

Гришин Н.Н. К вопросу о механизме ионизации на игольчатых эмиттерах органических соединений // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 1, Стр. 79

Аннотация Изучены вольт-амперные характеристики органических соединений на игольчатом платиновом эмиттере при напряженностях поля от 0.2 до 1.0 V / Angstrem. Показано, что при ионизации атомов и молекул в электрическом поле с высоким градиентом потенциала, обеспечивающим туннелирование электрона на уровень Ферми материала эмиттера, параметр (V-varphi) не участвует в формировании барьера десорбции иона и в явном виде отсутствует зависимость вероятности десорбции иона от этого параметра.