Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияИнститут теоретической и экспериментальной физики, 117259 Москва, Россия
ЖурналЖурнал Технической Физики
Исследование поверхностных и объемных дефектов в углероде и кремнии методами автоионной и сканирующей туннельной микроскопии
Суворов А.Л., Чеблуков Ю.Н., Лазарев Н.Е., Бобков А.Ф., Попов М.О., Бабаев В.П. Исследование поверхностных и объемных дефектов в углероде и кремнии методами автоионной и сканирующей туннельной микроскопии // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 3, Стр. 56
Аннотация
Методами автоионной и сканирующей туннельной микроскопии проведено параллельное комплексное исследование поверхностных и объемных дефектов в углероде и кремнии. Образцы облучались ионами He+, Ar+ и Bi+ с энергиями 20--30 keV при комнатной температуре. Флюенсы облучения составили 1018-1020 ion/m2. Установленные параметры обедненных зон и каскадов атомных смещений сравниваются с теоретическими оценками. Показано, что дозированная ионная бомбардировка поверхности материалов может быть использована как эффективная радиационная технология приготовления автоэмиссионных катодов для целей вакуумной микроэлектроники.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален