Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики прочности и материаловедения СО РАН, 634021 Томск, Россия Universitat Paderborn, Fachbereich Physik, AG Theoretische Physik D-33098 Paderborn, Germany ЖурналЖурнал Технической Физики


Электронный и фононный механизмы трения в атомно-плотном контакте кристаллических твердых тел при низких температурах
Попов В.Л.
Попов В.Л. Электронный и фононный механизмы трения в атомно-плотном контакте кристаллических твердых тел при низких температурах // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 5, Стр. 51
Аннотация Недавними экспериментальными и теоретическими исследованиями было показано, что сила трения покоя в "атомно-плотном" контакте двух кристаллических тел отсутствует при условии, что периоды их кристаллических решеток несоизмеримы, а взаимодействие на поверхности раздела не превышает определенного критического значения. В этом случае единственными механизмами трения являются излучение фононов и возбуждение электронов проводимости. Проведены теоретические оценки как фононного, так и электронного вкладов в силу трения (последнего как в нормальном, так и в сверхпроводящем состоянии металла).
Ключевые слова публикации:
   

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален