Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, 198904 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Электролюминесценция ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния

Барабан А.П., Коноров П.П., Малявка Л.В., Трошихин А.Г.

Барабан А.П., Коноров П.П., Малявка Л.В., Трошихин А.Г. Электролюминесценция ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 8, Стр. 87

Аннотация Исследовались особенности электролюминесценции в ионно-имплантированных (имплантация ионов Ar осуществлялась в объем окисного слоя) и ионно-синтезированных (выполненных по технологии SIMOX) структурах Si--SiO2. Электролюминесценция регистрировалась в диапазоне 250--800 nm в системе электролит--диэлектрик--полупроводник при комнатной температуре. Установлено, что в результате ионной имплантации в объеме окисного слоя увеличивается концентрация существующих и происходит образование новых люминесцентных центров. Предложены природа центров и модели их образования.