Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияТомский политехнический институт, 634004 Томск, Россия
ЖурналЖурнал Технической Физики
Радиационно-индуцированная проводимость щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях при рентгено- и фотовозбуждении
Куликов В.Д., Лисюк Ю.В. Радиационно-индуцированная проводимость щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях при рентгено- и фотовозбуждении // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 9, Стр. 44
Аннотация
Проведены исследования радиационно-индуцированной проводимости в щелочно-галоидных кристаллах при рентгеновском возбуждении и последовательном воздействии рентгеновского импульса излучения и лазерного импульса в полосе поглощения F- и F--центров окраски. Сделаны оценки основных параметров проводимости: концентрации и времени жизни носителей при рентгено- и фотовозбуждении. Обсуждены возможные процессы, определяющие нелинейность вольт-амперных характеристик. Показано, что увеличение проводимости в сильном электрическом поле возможно за счет уменьшения степени пространственной локализации электронов в зоне проводимости диэлектрика.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален