Профиль » Публикация

Аннотация Изучены особенности нелинейного пропускания ультракоротких импульсов резонансного лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в экситонной области спектра при учете экситон-фотонного взаимодействия и эффекта концентрационного усиления дипольного момента экситонного перехода. Показано, что в условиях точного резонанса пленка пропускает только передний фронт падающего прямоугольного импульса, а оставшуюся часть полностью отражает. При отличной от нуля расстройке резонанса существует остаточное пропускание. Предсказан ряд возможностей преобразования гауссовских импульсов. Найдены уравнения состояния для стационарного бистабильного пропускания (отражения) и исследована устойчивость полученных решений. Сформулирована теорема площадей, которая предсказывает ограничение площадей проходящих импульсов сверху: площади проходящих импульсов не могут превосходить pi/2.