Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияМозырский государственный педагогический институт, 247760 Мозырь, Гомельская область, Белоруссия
ЖурналЖурнал Технической Физики
Физические закономерности двойникования при воздействии внешних ортогональных друг другу электрических и магнитных полей, прикладываемых к монокристаллам висмута, облученных ионами бора
Остриков О.М. Физические закономерности двойникования при воздействии внешних ортогональных друг другу электрических и магнитных полей, прикладываемых к монокристаллам висмута, облученных ионами бора // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 12, Стр. 39
Аннотация
Исследовалось влияние импульсов электрического тока длительностью 10-5 s и плотностью до 60 A/mm2 при наличии внешнего магнитного поля величиной 0.2 T на поведение ансамблей клиновидных двойников в монокристаллах висмута, облученных ионами бора энергией 25 keV, дозой 1017 ion/cm2. Установлено, что как облучение ионами, так и пропускание через кристалл импульсов тока при действии магнитного поля ведут к стимуляции подвижности двойникующих дислокаций. Дан вывод условия равновесия двойникующих дислокаций в имплантированном веществе при пропускании через него электрического тока и одновременном действии внешнего магнитного поля.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален