Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.&nbsp;Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Температурная зависимость работы выхода островков гафния на&nbsp;вольфраме

Голубев О.Л., Судакова Т.И., Шредник В.Н.

Голубев О.Л., Судакова Т.И., Шредник В.Н. Температурная зависимость работы выхода островков гафния на вольфраме // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 12, Стр. 67

Аннотация С применением методов полевой электронной микроскопии изучены островки двумерной фазы гафния в области граней (100) вольфрама и их террас. Для островков измерена энергия двумерной сублимации, оказавшаяся равной 6.1±0.5 eV. Островки обнаруживали существенный эффект усиления полевой электронной эмиссии с температурой, значительно превышавший теоретически ожидаемый. Отрицательный температурный коэффициент изменения varphi alphaT для островков составил по величине 4-6· 10-4 eV · grad-1 или более, тогда как для вольфрама было получено alphaT=2· 10-5 eV · grad-1.