Профиль » Публикация

Аннотация Рассмотрена полевая зависимость фотоэмиссионных токов в МДП структуре при произвольном распределении объемного заряда по толщине диэлектрического слоя. Аналитически установлено, что положение вершины потенциального барьера для фотоэмиттируемых из затвора в диэлектрик МДП структуры электронов определяется производной высоты этого барьера по напряженности внешнего поля. Предложен метод корректного определения профиля объемной плотности заряда в диэлектрике МДП структуры по семейству спектральных характеристик, измеренных при различных напряжениях на затворе. Метод эффективен при исследовании распределения отрицательного заряда в диэлектрических слоях МДП структур.