Профиль » Публикация
Опубликовано
2001-00-00
Организация1 Институт физики полупроводников НАН Украины, 03028 Киев, Украина 2 Nichia Chemical Industries Ltd., Tokoshima, Japan E-mail: sukach@isp.kiev.ua
ЖурналЖурнал Технической Физики
Анализ температуры перегрева активной области зеленых СИД на основе нитридов III группы
Сукач Г.А., Смертенко П.С., Олексенко П.Ф., Nakamura Suji Анализ температуры перегрева активной области зеленых СИД на основе нитридов III группы // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 4, Стр. 76
Аннотация
Впервые установлена зависимость температуры перегрева Delta Tp-n активной области зеленых светодиодов на основе нитридов III группы от амплитуды прямого постоянного тока I. Показано, что в отличие от светодиодов, вольт-амперные характеристики которых хорошо описываются известными теориями выпрямления p-n-переходов, где Delta Tp-n прапорционально I, в исследованных структурах зависимость Delta Tp-n(I) в области токов 2·10-3-3·10-2 A носит квадратичный характер. При дальнейшем увеличении токов связь Delta Tp-n и I в зеленых светодиодах на основе нитридов III группы, как и в светоизлучающих диодах на основе известных инфракрасных и красных структур A3B5, становится линейной.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален