Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияСаратовский государственный университет им. Н.Г.&nbsp;Чернышевского, 410026 Саратов, Россия e-mail: semiconductor@sgu.ssu.runnet.ru ЖурналЖурнал Технической Физики

Об&nbsp;усилении люминесценции в&nbsp;узкозонной фазе гетерогенного полупроводника&nbsp;PbS--CdS

Роках А.Г., Трофимова Н.Б.

Роках А.Г., Трофимова Н.Б. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS--CdS // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 7, Стр. 140

Аннотация Показано, что эффект значительного увеличения интенсивности фотолюминесценции PbS при добавлении к нему CdS [1] в условиях образования гетерофазного полупроводника PbS--CdS может быть объяснен отвлечением рекомбинационного потка из широкозонной фазы в узкозонную полем варизонного перехода. Предлагается модель гетерогенного полупроводника, объясняющая "разгорание" люминесценции в системе PbS--CdS. Численными методами исследуются профиль распределения концентрации неравновесных носителей и интегральная интенсивность люминесценции на границе с узкозонной фазой.