Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияНижегородский государственный университет им.&nbsp;Н.И.&nbsp;Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия e-mail: obolensk@rf.unn.runnet.ru ЖурналЖурнал Технической Физики

Электронный транспорт в&nbsp;нанометровых GaAs&nbsp;структурах при&nbsp;радиационном воздействии

Демарина Н.В., Оболенский С.В.

Демарина Н.В., Оболенский С.В. Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 1, Стр. 66

Аннотация Приведены результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований зависимостей электрофизических характеристик n-GaAs при радиационном воздействии.