Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 Организация1&nbsp;Томский политехнический университет, 634034 Томск, Россия e-mail: noskov@hvd.tpu.ru 2&nbsp;Массачусетский технологический институт, МА 02139-4307 Кэмбридж, США e-mail: cmcooke@mit.edu 3&nbsp;Университет Карлсруэ, 76128 Карлсруэ, Германи ЖурналЖурнал Технической Физики

Моделирование развития разряда в&nbsp;объемно-заряженном диэлектрике

Носков М.Д., Малиновский А.С., Кук Ч.М., Урайт К.А., Шваб А.Й.

Носков М.Д., Малиновский А.С., Кук Ч.М., Урайт К.А., Шваб А.Й. Моделирование развития разряда в объемно-заряженном диэлектрике // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 4, Стр. 107

Аннотация Представлена стохастически детерминистическая модель развития разряда, вызванного объемным зарядом в диэлектрике. Численная реализация модели использована для количественного описания простарнственно-временных и токовых характеристик разряда в объемно-заряженном диэлектрике. Результаты моделирования сравниваются с данными экспериментального исследования разряда в образцах полиметилметакрилата, заряженных с помощью электронного пучка. Обсуждается взаимосвязь роста проводящих каналов, переноса заряда и энерговыделения в процессе развития разряда.