Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Формирование заданных профилей концентрации внедренных атомов и&nbsp;радиационных дефектов при&nbsp;использовании монохроматических пучков ускоренных ионов

Гусинский Г.М., Матюков А.В.

Гусинский Г.М., Матюков А.В. Формирование заданных профилей концентрации внедренных атомов и радиационных дефектов при использовании монохроматических пучков ускоренных ионов // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 65

Аннотация Предложен метод формирования пучков ускоренных ионов с энергетическим спектром, отвечающим условию образования в облучаемых образцах заданного профиля внедренных атомов и радиационных дефектов. Проведен строгий математический расчет профилей пленочных поглотителей энергии, формирующих пучки легких и тяжелых ионов с необходимым энергетическим спектром из моноэнергетических ускоренных пучков.