Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияРостовский государственный университет, 344090 Ростов-на-Дону, Россия e-mail: ivanov@phys.rnd.runnet.ru
ЖурналЖурнал Технической Физики
Распределение потенциала в сегнетокерамике при экзоэлектронной импульсной эмиссии электронов
Иванов В.Н., Рабкин Л.М. Распределение потенциала в сегнетокерамике при экзоэлектронной импульсной эмиссии электронов // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 8, Стр. 27
Аннотация
Численными методами исследовано распределение потенциала и поляризации в плоском эмитирующем слое сегнетокерамики состава PLZT-9/65/35 с двумя проводящими электродами: в виде системы лент на его эмитирующей стороне и сплошного на противолежащей. Рассмотрено состояние, возникающее непосредственно после переполяризации на фронте приложенного импульса напряжения, когда еще не произошло экранирование поляризационных зарядов свободными. Установлено, что при напряженности импульсного поля, существенно превышающей удвоенную величину коэрцитивного поля, в приповерхностном слое между лентами образуются области с чередующейся по направлению поляризацией, ее нормальная составляющая в максимумах близка к насыщению. Электрическое поле по обе стороны поверхности меняется в соответствии с вектором поляризации и достигает 200 kV/cm. На микронеоднородностях поверхности поле значительно больше, т. е. именно автоэлектронная эмиссия ответственна за выход электронов из сегнетокерамики в процессе ее импульсной переполяризации.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален