Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияСаратовский государственный технический университет, Саратов, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Запись оптической информации в&nbsp;пленочных реверсивных средах на&nbsp;основе диоксида ванадия

Олейник А.С.

Олейник А.С. Запись оптической информации в пленочных реверсивных средах на основе диоксида ванадия // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 8, Стр. 84

Аннотация Исследованы процессы протекания термически индуцированных фазовых переходов полупроводник--металл, происходящих в средах Al--VO2--Д, VO2--Д при записи и регистрации оптической информации. Экспериментально показано, что скорость протекания переходов определяется теплофизическими параметрами пленочных слоев сред, а также величиной и характером энергетической экспозиции источника излучения. Динамический диапазон экспозиционной энергетической чувствительности определяется шириной петли гистерезиса. Ширина и форма петли гистерезиса зависит от толщины пленки VO2 и профиля распределения показателя нестехиометрии по толщине пленки.