Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияНовосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия e-mail: klimkin@phys.nsu.ru ЖурналЖурнал Технической Физики


Статистические исследования механизмов электрического пробоя н-гексана в наносекундном диапазоне
Климкин В.Ф.
Климкин В.Ф. Статистические исследования механизмов электрического пробоя н-гексана в наносекундном диапазоне // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 9, Стр. 38
Аннотация Обобщены методы анализа статистических распределений времени запаздывания пробоя. С помощью статистического подхода исследовался электрический пробой н-гексана в квазиоднородном поле при напряженностях ~2.1 MV/cm и длительностях воздействия напряжения ~5· 10-8 s. Показано сосуществование и конкуренция двух различных механизмов пробоя с анода. Причем один из них включает в себя \glqq пузырьковую\grqq стадию, а другной обусловлен развитием ионизационных процессов в самой жидкости. Установлено, что ослабление влияния внешнего давления на импульсную электрическую прочность жидкостей в наносекундном диапазоне связано с переходом к ионизационному механизму пробоя с анода при повышенных давлениях.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален