Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail: mikbr@mail.ru ЖурналЖурнал Технической Физики

Объемная и&nbsp;контактная фотоэдс в&nbsp;адаптивных фотоприемниках на&nbsp;основе арсенида галлия

Брюшинин М.А., Куликов В.В., Соколов И.А.

Брюшинин М.А., Куликов В.В., Соколов И.А. Объемная и контактная фотоэдс в адаптивных фотоприемниках на основе арсенида галлия // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 10, Стр. 79

Аннотация Исследуются особенности генерации нестационарной фотоэдс в адаптивном фотоприемнике на основе полуизолирующего кристалла GaAs. Рассматриваются одно- и двухчастотные режимы возбуждения. Обнаружено, что для малых пространственных частот интерференционной картины и малых частот фазовой модуляции в датчике возникает значительная контактная составляющая фототока. Так как контактный сигнал оказывается чувствительным к медленному дрейфу фазы интерференционной картины, его присутствие негативно сказывается на адаптивных свойствах устройства. Экспериментально и теоретически показано, что выбором специальных значений амплитуды дополнительной фазовой модуляции и пространственной частоты можно эффективно подавлять сигнал контактной эдс на частоте основной фазовой модуляции. Приведен расчет спектральных компонент сигнала нестационарной фотоэдс при двухчастотном режиме возбуждения.