Профиль » Публикация

Аннотация Впервые рассмотрена применимость модели термического пика для описания процессов дефектообразования и трекообразования в полупроводниковых кристаллах. Рассмотрено влияние таких параметров модели, как теплоемкость, теплопроводность, коэффициент электрон-фононной связи как функций температуры. Сравнение теоретических данных с результатами экспериментов для кристаллов InP и Ge, облучаемых тяжелыми ионами сверхвысоких энергий, свидетельствует об адекватности этого подхода и возможности получать количественные данные для таких характеристик, как температура локальной области около траектории иона, диаметры расплавленной области и экспериментально регистрируемой трековой области. В частности, предсказанный теоретически диаметр цилиндрической расплавленной области, образующейся при прохождении ионов Xe+ с энергией 250 MeV в InP, составляет 20 nm, а диаметры регистрируемых методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного сечения треков составляют 7-15 nm.