Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет, 394693 Воронеж, Россия e-mail: levin@lev.vsu.ru ЖурналЖурнал Технической Физики

Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля

Левин М.Н., Татаринцев А.В., Косцова О.А., Косцов А.М.

Левин М.Н., Татаринцев А.В., Косцова О.А., Косцов А.М. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 10, Стр. 85

Аннотация Впервые показана возможность активации поверхности полупроводников, проявляющейся в долговременном изменении адсорбционной способности в результате кратковременного воздействия импульсного магнитного поля. Магнитоиндуцированная активация поверхности исследована на кристаллах кремния, германия и арсенида галлия. Обнаруженный эффект расширяет возможности технологических процессов формирования на поверхности полупроводниковых кристаллов тонких пленок.